TFDB

Tiny Flash Database for MCU.

TinyFlashDB设计前言

在单片机日常开发中，总会需要存储一些信息，这时就需要使用单片机FLASH存储的方案，目前单片机存储的方案有很多，比如：EASYFLASH、FLASHDB、OSAL_NV等等方案，他们程序都非常大，在存储不多的变量时不值得。而且很少有考虑到flash写入出错的情况。
在实际产品中，嵌入式产品flash写入可能会受各种因素影响（电池供电、意外断电、气温等）从而并不是很稳定，一旦出现错误，会导致产品一系列问题。

TinyFlashDB设计理念

不同于其他很多的KV型数据库，TinyFlashDB每一个需要存储的变量都会分配一个单独的单片机flash扇区，变量长度不可变。
所以TinyFlashDB仅适用于存储几个关键性变量（例如：IAP跳转标志、系统断电时间等等），不适合大规模数据存储（大规模数据存储可使用EASYFLASH等）。
TinyFlashDB在设计时就考虑了写入错误的影响，追求力所能及的安全保障、资源占用方面尽可能的缩小（不到1kb代码占用）、尽可能的通用性（可以移植到51等8位机，无法逆序写入的stm32L4系列，某些flash加密的单片机和其他普通32位机上）。

TinyFlashDB使用示例

const tfdb_index_t test_index = {
    .end_byte = 0x00,
    .flash_addr = 0x4000,
    .flash_size = 256,
    .value_length = 2,
};/* c99写法，如果编译器不支持，可自行改为c89写法 */
tfdb_addr_t addr = 0; /*addr cache*/

uint8_t test_buf[TFDB_ALIGNED_RW_BUFFER_SIZE(2,1)]; /*aligned_value_size*/

uint16_t test_value;

void main()
{
    TFDB_Err_Code result;
    result = tfdb_set(&test_index, test_buf, &addr, &test_value);
    if(result == TFDB_NO_ERR)
    {
        printf("set ok, addr:%x\n", addr);
    }

    addr = 0;   /* reset addr cache, to see tfdb_get. */

    result = tfdb_get(&test_index, test_buf, &addr, &test_value);
    if(result == TFDB_NO_ERR)
    {
        printf("get ok, addr:%x, value:%x\n", addr, test_value);
    }
}

TinyFlashDB API介绍

typedef struct _tfdb_index_struct{
    tfdb_addr_t     flash_addr;/* the start address of the flash block */
    uint16_t        flash_size;/* the size of the flash block */
    uint8_t         value_length;/* the length of value that saved in this flash block */
    uint8_t         end_byte; /* must different to TFDB_VALUE_AFTER_ERASE */
    /* 0x00 is recommended for end_byte, because almost all flash is 0xff after erase. */
}tfdb_index_t;

结构体功能：在TinyFlashDB中，API的操作都需要指定的参数index，该index结构体中存储了flash的地址，flash的大小，存储的变量的长度，结束标志位。 在读取flash扇区时会去校验此信息。

TFDB_Err_Code tfdb_get(const tfdb_index_t *index, uint8_t *rw_buffer, tfdb_addr_t *addr_cache, void* value_to);

函数功能：从index指向的扇区中获取一个index中指定变量长度的变量，flash头部数据校验出错不会重新初始化flash。

参数 index：tfdb操作的index指针。

参数 rw_buffer：写入和读取的缓存，所有flash的操作最后都会将整理后的数据拷贝到该buffer中，再调用tfdb_port_write或者tfdb_port_read进行读取写入。当芯片对于写入的数据区缓存有特殊要求（例如4字节对齐，256字节对齐等），可以通过该参数将符合要求的变量指针传递给函数使用。至少为4字节长度。

参数 addr_cache：可以是NULL，或者是地址缓存变量的指针，当addr_cache不为NULL，并且也不为0时，则认为addr_cache已经初始化成功，不再校验flash头部，直接从该addr_cache的地址读取数据。

参数 value_to：要存储数据内容的地址。

返回值：TFDB_NO_ERR成功，其他失败。

TFDB_Err_Code tfdb_set(const tfdb_index_t *index, uint8_t *rw_buffer, tfdb_addr_t *addr_cache, void* value_from);

函数功能：在index指向的扇区中写入一个index中指定变量长度的变量，flash头部数据校验出错重新初始化flash。

参数 index：tfdb操作的index指针。

参数 rw_buffer：写入和读取的缓存，所有flash的操作最后都会将整理后的数据拷贝到该buffer中，再调用tfdb_port_write或者tfdb_port_read进行读取写入。当芯片对于写入的数据区缓存有特殊要求（例如4字节对齐，256字节对齐等），可以通过该参数将符合要求的变量指针传递给函数使用。至少为4字节长度。

参数 addr_cache：可以是NULL，或者是地址缓存变量的指针，当addr_cache不为NULL，并且也不为0时，则认为addr_cache已经初始化成功，不再校验flash头部，直接从该addr_cache的地址读取数据。

参数 value_from：要存储的数据内容。

返回值：TFDB_NO_ERR成功，其他失败。

TinyFlashDB dual使用示例

tfdb dual api是基于tfdb_set和tfdb_get封装而成的。tfdb dual会调用tfdb_set和tfdb_get，并且在数据前部添加两个字节的seq，所以在tfdb dual中，最长支持的存储变量长度为253字节。
同时，tfdb dual api需要提供两个缓冲区，并且需要是增加两字节变量长度再重新计算的aligned_value_size。

typedef struct _my_test_params_struct
{
    uint32_t    aa[2];
    uint8_t     bb[16];
} my_test_params_t;

my_test_params_t my_test_params = {
        1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14,15,16,17,18
};

tfdb_dual_index_t my_test_tfdb_dual = {
        .indexes[0] = {
                .end_byte     = 0x00,
                .flash_addr   = 0x08077000,
                .flash_size   = 256,
                .value_length = TFDB_DUAL_VALUE_LENGTH(sizeof(my_test_params_t)),
        },
        .indexes[1] = {
                .end_byte     = 0x00,
                .flash_addr   = 0x08077100,
                .flash_size   = 256,
                .value_length = TFDB_DUAL_VALUE_LENGTH(sizeof(my_test_params_t)),
        },
};

tfdb_dual_cache_t my_test_tfdb_dual_cache = {0};

void my_test_tfdb_dual_func()
{
    uint32_t rw_buffer[TFDB_DUAL_ALIGNED_RW_BUFFER_SIZE(TFDB_DUAL_VALUE_LENGTH(sizeof(my_test_params_t)), 4)];
    uint32_t rw_buffer_bak[TFDB_DUAL_ALIGNED_RW_BUFFER_SIZE(TFDB_DUAL_VALUE_LENGTH(sizeof(my_test_params_t)), 4)];
    TFDB_Err_Code err;
    for(uint8_t i = 0; i < 36; i++)
    {
        err = tfdb_dual_get(&my_test_tfdb_dual, (uint8_t *)rw_buffer, (uint8_t *)rw_buffer_bak, &my_test_tfdb_dual_cache, &my_test_params);
        if(err == TFDB_NO_ERR)
        {
            printf("read ok\ncache seq1:0x%04x, seq2:0x%04x\naddr1:0x%08x, addr2:0x%08x\n", my_test_tfdb_dual_cache.seq[0], my_test_tfdb_dual_cache.seq[1], my_test_tfdb_dual_cache.addr_cache[0], my_test_tfdb_dual_cache.addr_cache[1]);
        }
        else
        {
            printf("read err:%d\n", err);
        }

        my_test_params.aa[0]++;
        my_test_params.aa[1]++;
        for(uint8_t i = 0; i < 16; i++)
        {
            my_test_params.bb[i]++;
        }

        memset(&my_test_tfdb_dual_cache, 0, sizeof(my_test_tfdb_dual_cache));   /* 测试无地址缓存写入 */

        err = tfdb_dual_set(&my_test_tfdb_dual, (uint8_t *)rw_buffer, (uint8_t *)rw_buffer_bak, &my_test_tfdb_dual_cache, &my_test_params);
        if(err == TFDB_NO_ERR)
        {
            printf("write ok\ncache seq1:0x%04x, seq2:0x%04x\naddr1:0x%08x, addr2:0x%08x\n", my_test_tfdb_dual_cache.seq[0], my_test_tfdb_dual_cache.seq[1], my_test_tfdb_dual_cache.addr_cache[0], my_test_tfdb_dual_cache.addr_cache[1]);
        }
        else
        {
            printf("write err:%d\n", err);
        }

        memset(&my_test_tfdb_dual_cache, 0, sizeof(my_test_tfdb_dual_cache));   /* 测试无地址缓存读取 */
    }
}

TinyFlashDB dual API介绍

typedef struct _tfdb_dual_index_struct
{
    tfdb_index_t indexes[2];
} tfdb_dual_index_t;

typedef struct _tfdb_dual_cache_struct
{
    tfdb_addr_t     addr_cache[2];
    uint16_t        seq[2];
} tfdb_dual_cache_t;

结构体功能：在TinyFlashDB dual中，API的操作都需要指定的参数index，该index结构体中存储了两个tfdb_index_t。

TFDB_Err_Code tfdb_dual_get(const tfdb_dual_index_t *index, uint8_t *rw_buffer, uint8_t *rw_buffer_bak, tfdb_dual_cache_t *cache, void *value_to);

函数功能：从index指向的扇区中获取一个index中指定变量长度的变量，flash头部数据校验出错不会重新初始化flash。

参数 index：tfdb操作的index指针。

参数 rw_buffer：写入和读取的缓存，所有flash的操作最后都会将整理后的数据拷贝到该buffer中，再调用tfdb_port_write或者tfdb_port_read进行读取写入。当芯片对于写入的数据区缓存有特殊要求（例如4字节对齐，256字节对齐等），可以通过该参数将符合要求的变量指针传递给函数使用。至少为4字节长度。

参数 rw_buffer_bak：写入和读取的缓存，所有flash的操作最后都会将整理后的数据拷贝到该buffer中，再调用tfdb_port_write或者tfdb_port_read进行读取写入。当芯片对于写入的数据区缓存有特殊要求（例如4字节对齐，256字节对齐等），可以通过该参数将符合要求的变量指针传递给函数使用。至少为4字节长度。

参数 cache：不可以是NULL，必须是tfdb_dual_cache_t定义的缓存的指针，当cache中数据合法时，则认为cache已经初始化成功，直接从该cache的flash块和地址读取数据。

参数 value_to：要存储数据内容的地址。

返回值：TFDB_NO_ERR成功，其他失败。

TFDB_Err_Code tfdb_dual_set(const tfdb_dual_index_t *index, uint8_t *rw_buffer, uint8_t *rw_buffer_bak, tfdb_dual_cache_t *cache, void *value_from);

函数功能：在index指向的扇区中写入一个index中指定变量长度的变量，flash头部数据校验出错重新初始化flash。

参数 index：tfdb操作的index指针。

参数 rw_buffer：写入和读取的缓存，所有flash的操作最后都会将整理后的数据拷贝到该buffer中，再调用tfdb_port_write或者tfdb_port_read进行读取写入。当芯片对于写入的数据区缓存有特殊要求（例如4字节对齐，256字节对齐等），可以通过该参数将符合要求的变量指针传递给函数使用。至少为4字节长度。

参数 rw_buffer_bak：写入和读取的缓存，所有flash的操作最后都会将整理后的数据拷贝到该buffer中，再调用tfdb_port_write或者tfdb_port_read进行读取写入。当芯片对于写入的数据区缓存有特殊要求（例如4字节对齐，256字节对齐等），可以通过该参数将符合要求的变量指针传递给函数使用。至少为4字节长度。

参数 cache：不可以是NULL，必须是tfdb_dual_cache_t定义的缓存的指针，当cache中数据合法时，则认为cache已经初始化成功，直接从该cache的flash块和地址读取数据。

参数 value_from：要存储的数据内容。

返回值：TFDB_NO_ERR成功，其他失败。

TinyFlashDB设计原理

观察上方代码，可以发现TinyFlashDB的操作都需要tfdb_index_t定义的index参数。
Flash初始化后头部信息为4字节，所以只支持1、2、4、8字节操作的flash：
头部初始化时会读取头部，所以函数中rw_buffer指向的数据第一要求至少为4字节，如果最小写入单位是8字节，则为第一要求最少为8字节。

第一字节	第二字节	第三字节	第四字节和其他对齐字节
flash_size高8位字节	flash_size低8位字节	value_length	end_byte

数据存储时，会根据flash支持的字节操作进行对齐，所以函数中rw_buffer指向的数据第二要求至少为下面函数中计算得出的aligned_value_size个字节：

    aligned_value_size  = index->value_length + 2;/* data + verify + end_byte */
 
#if (TFDB_WRITE_UNIT_BYTES==2)
    /* aligned with TFDB_WRITE_UNIT_BYTES */
    aligned_value_size = ((aligned_value_size + 1) & 0xfe);
#elif (TFDB_WRITE_UNIT_BYTES==4)
    /* aligned with TFDB_WRITE_UNIT_BYTES */
    aligned_value_size = ((aligned_value_size + 3) & 0xfc);
#elif (TFDB_WRITE_UNIT_BYTES==8)
    /* aligned with TFDB_WRITE_UNIT_BYTES */
    aligned_value_size = ((aligned_value_size + 7) & 0xf8);
#endif

前value_length个字节	第value_length+1字节	第value_length+2字节	其他对齐字节
value_from数据内容	value_from的和校验	end_byte	end_byte

每次写入后都会再读取出来进行校验，如果校验不通过，就会继续在下一个地址继续尝试写入。直到达到最大写入次数（TFDB_WRITE_MAX_RETRY）或者头部校验错误。

读取数据时也会计算和校验，不通过的话继续读取，直到返回校验通过的最新数据，或者读取失败。

TinyFlashDB dual设计原理

数据前部两字节seq只有3种合法值，0x00ff->0x0ff0->0xff00。
如此循环往复，通过读取两个block中最新变量的seq来判断哪个flash扇区中存储的是最新值。
当最新值存储在第一扇区时，下次写入则会在第二扇区写入，反之亦然。

TinyFlashDB移植和配置

移植使用只需要在tfdb_port.c中，编写完成三个接口函数，也要在tfdb_port.h中添加相应的头文件和根据不同芯片修改宏定义

TFDB_Err_Code tfdb_port_read(tfdb_addr_t addr, uint8_t *buf, size_t size);

TFDB_Err_Code tfdb_port_erase(tfdb_addr_t addr, size_t size);

TFDB_Err_Code tfdb_port_write(tfdb_addr_t addr, const uint8_t *buf, size_t size);

所有的配置项都在tfdb_port.h中

/* use string.h or self functions */
#define TFDB_USE_STRING_H               1

#if TFDB_USE_STRING_H
    #include "string.h"
    #define tfdb_memcpy memcpy
    #define tfdb_memcmp memcmp
    #define TFDB_MEMCMP_SAME 0
#else
    #define tfdb_memcpy
    #define tfdb_memcmp
    #define TFDB_MEMCMP_SAME
#endif

#define TFDB_DEBUG                          printf

/* The data value in flash after erased, most are 0xff, some flash maybe different.
 * if it's over 1 byte, please be care of little endian or big endian. */
#define TFDB_VALUE_AFTER_ERASE              0xff

/* The size of TFDB_VALUE_AFTER_ERASE, only support 1 / 2 / 4.
 * This value must not bigger than TFDB_WRITE_UNIT_BYTES. */
#define TFDB_VALUE_AFTER_ERASE_SIZE         1

/* the flash write granularity, unit: byte
 * only support 1(stm32f4)/ 2(CH559)/ 4(stm32f1)/ 8(stm32L4) */
#define TFDB_WRITE_UNIT_BYTES               8 /* @note you must define it for a value */

/* @note the max retry times when flash is error ,set 0 will disable retry count */
#define TFDB_WRITE_MAX_RETRY                32

/* must not use pointer type. Please use uint32_t, uint16_t or uint8_t. */
typedef uint32_t    tfdb_addr_t;

TFDB资源占用

在去除DEBUG打印信息后，资源占用如下：

Cortex M4平台

keil -o2编译优化选项

      Code (inc. data)   RO Data    RW Data    ZI Data      Debug   Object Name

       154          0          0          0          0       2621   tfdb_port.o
       682          0          0          0          0       4595   tinyflashdb.o

RISC-V平台

gcc -os编译优化选项

 .text.tfdb_port_read
                0x00000000000039b4       0x1a ./Drivers/TFDB/tfdb_port.o
                0x00000000000039b4                tfdb_port_read
 .text.tfdb_port_erase
                0x00000000000039ce       0x46 ./Drivers/TFDB/tfdb_port.o
                0x00000000000039ce                tfdb_port_erase
 .text.tfdb_port_write
                0x0000000000003a14       0x5c ./Drivers/TFDB/tfdb_port.o
                0x0000000000003a14                tfdb_port_write
 .text.tfdb_check
                0x0000000000003a70       0x56 ./Drivers/TFDB/tinyflashdb.o
                0x0000000000003a70                tfdb_check
 .text.tfdb_init
                0x0000000000003ac6       0x56 ./Drivers/TFDB/tinyflashdb.o
                0x0000000000003ac6                tfdb_init
 .text.tfdb_set
                0x0000000000003b1c      0x186 ./Drivers/TFDB/tinyflashdb.o
                0x0000000000003b1c                tfdb_set
 .text.tfdb_get
                0x0000000000003ca2      0x11c ./Drivers/TFDB/tinyflashdb.o
                0x0000000000003ca2                tfdb_get

Demo

裸机移植例程，RT-Thread可以参考使用：
STM32F429IGT6
CH583

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